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Si7758DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.010
I D = 20 A
0.00 8
T J = 150 °C
10
0.006
1
0.1
T J = 25 °C
0.004
0.002
0.000
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10 -1
10 -2
10 -3
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30 V
10 V
200
160
120
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
10 -4
10 -5
10 -6
20 V
8 0
40
0
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Reverse Current (Schottky)
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
1 ms
10
10 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
Limited
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68696
S-81326-Rev. A, 09-Jun-08
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